RTP快速退火炉 高温持温能力，1000℃持温可达30min

快速退火炉RTP-Table-6

RTP-Table-6是在保护气氛下的桌面手动快速退火系统，以红外可见光加热单片Wafer 或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 2-6 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系 统和其他 RTP 系统，其腔体设计、温度控制技术和RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。

快速退火炉RTP-Table-6产品介绍

概要

RTP-Table-6是在保护气氛下的桌面手动快速退火系统，以红外可见光加热单片Wafer 或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 2-6 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系 统和其他 RTP 系统，其腔体设计、温度控制技术和RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。

产品特点

▲红外卤素灯管加热，冷却采用风冷;

▲灯管功率PID控温，可控制温度升温良好的重现性与温度均匀性;

▲采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在Wafer表面，避免退火过程中冷点产生产品良好的温度均匀性;

▲大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理;

▲标配两组工艺气体多可扩展至6组工艺气体;

▲可测单晶片样品的尺寸为6英寸（150mm）;

▲采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施保障仪器使用安全。

行业应用

A、氧化物、氮化物生长

B、硅化物合金退火

C、砷化镓工艺

D、欧姆接触快速合金

E、氧化回流

F、其他快速热处理工艺

基本配置

项目指标产品尺寸6寸晶圆或者支持150x150mm产品温度范围室温~1250℃升温速度100℃/s可编程(此温度为不含载盘的升温速度)温度均匀度±5℃≤ 500℃ ±1% >500℃温度控制重复性±1℃温控方式快速 PID 温控衬底冷却方式氮气吹扫工艺气体MFC控制，常规三路气体(N/O/GN)控制方式工业电脑+PC control