PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点；

PECVD小型滑动开启式管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。

主要用途：

高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

技术参数：

炉体结构

双层炉壳间配有风冷系统，有效保证外壳表面温；

炉子底部装有一对滑轨，移动平稳

炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却

炉盖可开启，可以实时观察加热的物料

电源

电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW

炉管

高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小

尺寸：Φ60*1250mm

法兰及支撑

SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空

一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷

可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑

包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合

加热系统

加热元件采用优质合金丝0Cr27Al7Mo2，表面负荷高、经久耐用

加热区长度：270mm

恒温区长度：100mm

工作温度：≤1150℃

最高温度：1200℃

升温速率：10℃/min

温控系统

温度控制采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能

30段升降温程序

测温元件：N型热电偶

恒温精度：±1℃

混气系统

四路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制

内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀

管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套

每路气体进气管路配有不锈钢针阀

通过控制面板上的旋钮来调节气体流量

流量规格：0～200sccm

流量精度：±1.5%

高真空真空系统

采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4.0*10^-4Pa

复合真空计，配置电阻规+电离规

抽速：110L/S

冷却：风冷

电源:AC220V 50/60Hz

射频电源系统

输出功率:0-300W

功率稳定度：±0.1%

射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005%

最大反向功率:120W

射频电源电子输出端口:UHF

冷却:风冷

电源:AC187-253V 50/60Hz

可选配件

混气系统,中、高真空系统，各种刚玉、石英坩埚，石英管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪。