这些微型电子产品用的铬薄膜蚀刻剂对阳性和阴性光刻胶都有良好匹配性。用它们可以帮助刻制细线条，下蚀现象最低。0.2微米过滤的高纯方剂是关键装置制备的需要的理想产品。

 

低下蚀高蚀刻速率

 

 

用低蚀刻速度可达到低下蚀广匹配性的效果

 

 

与铜、镍、金和钼膜相匹配

 

 

是理想的高精密度光掩膜蚀刻剂

 

 

用于铬—硅膜蚀刻

 

 

· 高纯度

   · 0.2微米过滤品

   · 与光刻胶有良好匹配性

   · 蚀刻速率和图案均匀

  

 

Transene铬蚀刻剂1020和1020AC是高纯高铈铬硝酸盐体系，可以用来精密清晰地蚀刻铬和氧化铬膜。铬蚀刻剂1020AC不含硝酸，蚀刻速率较低。这两种蚀刻剂和阴、阳性光刻胶都有良好的匹配性。铬蚀刻剂1020已经通过过滤去除了所有大于0.2微米的颗粒。铬蚀刻剂1020AC的边下蚀现象最微。

 

 

蚀刻速率依膜厚度不同而改变。在室温下，蚀刻时间为15-60秒。铬蚀刻剂要在良好通风橱中操作。

 

铬蚀刻剂CRE-473是微型电子装置的铬的选择性蚀刻剂。CRE-473能有效蚀刻沉积在铜、镍、金和钼基板上的铬膜。和阴、阳性光刻胶都有良好匹配性。

 

 

铬蚀刻剂CRE-473是取来便可使用的液体。专门设计用来去除铜、镍、金和钼等基板上的铬膜。将蚀刻剂加热到40℃可以加快较厚铬膜的蚀刻速率。

 

 

本品为改进的铬蚀刻剂，可用于制备高质量铬光掩膜新技术。用于在微型电子产品中去除镀在玻璃片上的铬以制出光掩膜图。

 

·与光刻胶具有良好匹配性

   ·可室温操作

   ·可观察的蚀刻控制

   ·在亚微米范围清晰确定

   ·廉价经济

 

Transene铬光掩膜蚀刻剂设计用于制造铬金属光掩膜的新技术中的高要求的蚀刻工艺过程。这种铬光掩膜生产成本低，当用于微型电子产品中时其性能优于乳液型光掩膜。

Transene蚀刻剂可以精密蚀刻铬。它代替通常的有害实验室蚀刻剂用于光掩膜生产工艺，具有无毒无害的优点。这种蚀刻剂可室温操作，可进行直观蚀刻控制，和阴、阳性光刻胶都有良好匹配性。能够很好记录细线条和几何图形，公差在低于微米的数量级范围。Transene铬光掩膜蚀刻剂可一般成功用于柯达（Kodak）镀铬板和玻璃镀铬板。

 

建议使用的光刻胶材料，包括阴性和阳性光刻胶要与铬光掩膜蚀刻剂要有良好匹配性。这样便可以使铬上的微型图案具有重观性。这种蚀刻剂可直接用于柯达（Kodak）金属镀板P，它是在镀铬玻璃板加涂一层阳性光刻胶而制成的。

操作步骤要按指导意见上所叙述的进行(报告1-147)。一般说来，蚀刻过程包括下列步骤：

1.      涂加光刻胶

2.      预烘烤

3.      在紫外光源下将光刻胶暴光

4.      光刻胶显影

5.      后烘烤

6.      蚀刻铬

基板上镀铬层的厚度为800 Å数量级。因此，蚀刻时间在60秒左右。

 

CE-8001-N型铬蚀刻剂是一种高铈铵硝酸盐/硝酸蚀刻溶液，可用于所有类型铬板的蚀刻。蚀刻速率要依基板铬的密度和工艺条件而定。在室温下（25℃）的蚀刻时间在15-55秒钟范围内。这种蚀刻剂可以和一种添加的表面活性剂（CE-8001-NS）一起供应。

 

 

在室温下贮存，避免日光直接照射，当不用时贮藏容器要密封。这是一种氧化性酸溶液，处理时要当心。万一接触到眼和皮肤时，要用大量清水冲洗，炎症持续时，要请医生诊治。

 

    1加仑塑料瓶装

 

 

 

CE-8002-A铬蚀刻剂是一种高铈铵/醋酸蚀刻溶液，用于需要蚀刻速率低、无边下蚀的情况下铬基板的蚀刻。一般来说，在室温下（25℃）的蚀刻时间在20-60钞范围内。

 

 

在室温下避开阳光曝晒贮存，不使用时容器要密封。这是一种氧化性酸溶液，处理时要当心。万一接触到眼或皮肤时，要用大量清水冲洗。如果炎症不消，要请医生诊治。