常温下1T-TaS2在高温（>550K）下表现为金属相，在550K以下表现为不相称的CDW （ICCDW）相，在350 K以下表现为接近相称的CDW （NCCDW）相，在～180 K以下表现为含莫特相的相称CDW （CCDW）相。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。ttas2属于v族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。用HQ石墨烯制备的1T相TaS2晶体具有典型的横向尺寸为～0.6-0.8 cm，呈六边形，具有金属外观。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:～6-8 mm

颜色: 黄黑色

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Type：Synthetic

应用领域

在电子学领域：

场效应晶体管（FET）：由于其特殊的电学性质，可用于制造高性能的场效应晶体管。例如，在高频和高功率电子设备中，基于硫化钽晶体的 FET 能够提供更优异的性能。

存储器件：有望应用于新型的存储器件，如相变存储器或阻变存储器，实现高速、高密度的数据存储。

在能源领域：

锂离子电池：作为锂离子电池的电极材料，具有一定的潜力来提高电池的容量和循环性能。

在催化领域：

电催化：在一些电催化反应中，如析氢反应（HER），表现出一定的催化活性，有助于提高能源转化效率。

在传感器领域：

压力传感器：其电阻会随压力变化而改变，可用于制造高精度的压力传感器。

其他信息

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