NanoIntegris 提供的半导体性单壁碳纳米管，是通过对电弧法制备的单壁碳管分离得到的，相比原始的单壁碳管，金属杂质含量小于1%，含有约5%碘元素，源于残留的碘二醇，纯的粉末中没有碘二醇。为了获得高纯度的半导体性单壁碳纳米管，通常需要采用一些分离和提纯的方法，如密度梯度超离心法、选择性化学反应法等。

技术参数

管径：1.2-1.7 nm

长度：300 nm-5 μm

金属催化剂含量：<1%

无定形碳：1-5%

备注：3mg起订

产品特点

带隙特性：具有一定的能带带隙，这使得它们在电学上表现出半导体特性，可用于制造场效应晶体管（FET）等半导体器件。带隙大小取决于碳纳米管的直径和手性。 

 载流子传输：电子和空穴是其主要的载流子，载流子迁移率较高，能够实现高速的电荷传输。 

 光吸收和发射：具有独特的光吸收和光发射特性，在近红外到可见光区域有吸收峰，并且在一定条件下可以发光

应用

集成电路：由于其小尺寸和高性能，有潜力用于未来的集成电路制造，以实现更高的集成度和性能。 

传感器：可以用于制造化学传感器、生物传感器等，利用其电学特性对目标分子或生物分子的吸附导致的电导变化来进行检测。 

光电领域：应用于光电探测器、发光二极管（LED）等光电器件。例如，基于半导体性单壁碳纳米管的光电探测器具有高灵敏度和快速响应的特点 

其他信息

使用说明

存放在阴凉干燥，通风良好的地方，远离高温与火源。

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