核心特性

1. 超高导电性：铜的电阻率仅为 1.67×10⁻⁸ Ω・m，远低于传统铝互连材料，能显著降低信号延迟，是芯片高速化的核心保障。

2. 优异导热性：热导率约 401 W/(m・K)，可快速导出器件工作热量，提升产品稳定性与使用寿命。

3. 良好延展性与成膜性：溅射过程中能形成均匀、致密、附着力强的铜薄膜，适配高精度镀膜工艺。

4. 工艺适配性强：可通过磁控溅射、离子束溅射等多种方式制备薄膜，兼容不同类型的溅射设备。